SQ4917EY-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
SQ4917EY-T1_GE3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Supplier Device Package：
8-SOIC
Package / Case：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Qualification：
AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss)：
60V
Configuration：
2 P-Channel (Dual)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
8A (Tc)
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TA)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1910pF @ 30V
Power - Max：
5W (Tc)
