SI9926CDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
SI9926CDY-T1-E3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Supplier Device Package：
8-SOIC
Package / Case：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
Logic Level Gate
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
8A
Power - Max：
3.1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 8.3A, 4.5V
