SI7983DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
SI7983DP-T1-GE3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
Logic Level Gate
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
20V
Configuration：
2 P-Channel (Dual)
Power - Max：
1.4W
Package / Case：
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package：
PowerPAK® SO-8 Dual
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
7.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
17mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
74nC @ 4.5V
