TK5A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
TK5A65DA(STA4,Q,M) 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
Vgs（最大）：
±30V
漏源电压 (Vdss)：
650 V
包装/箱：
TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
16 nC @ 10 V
供应商设备包：
TO-220SIS
Power Dissipation (Max)：
35W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
700 pF @ 25 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.5A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.4V @ 1mA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.67Ohm @ 2.3A, 10V
