FCPF165N65S3L1
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
FCPF165N65S3L1 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 150°C
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
Vgs（最大）：
±30V
漏源电压 (Vdss)：
650 V
包装/箱：
TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
35 nC @ 10 V
供应商设备包：
TO-220F-3
Power Dissipation (Max)：
35W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
19A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 1.9mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1415 pF @ 400 V
