FDMS86183
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
FDMS86183 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerTDFN
供应商设备包：
8-PQFN (5x6)
Power Dissipation (Max)：
63W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
51A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 90µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
12.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1515 pF @ 50 V
