PSMN018-100PSFQ
MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB
PSMN018-100PSFQ 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
供应商设备包：
TO-220AB
包装/箱：
TO-220-3
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
7V, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
53A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
21.4 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
111W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1482 pF @ 50 V
