DMN2075UDW-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
DMN2075UDW-7 规格
安装类型:
Surface Mount
包装/箱:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包:
SOT-363
漏源电压 (Vdss):
20 V
Vgs(最大):
±8V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Power Dissipation (Max):
500mW (Ta)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
2.8A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
7 nC @ 4.5 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
48mOhm @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
594.3 pF @ 10 V