NP100P04PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
NP100P04PLG-E1-AY 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
40 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
场效应管类型：
P-Channel
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作温度：
175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 1mA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3.7mOhm @ 50A, 10V
供应商设备包：
TO-263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
320 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
15100 pF @ 10 V
