PSMN9R1-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
PSMN9R1-30YL,115 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.15V @ 1mA
供应商设备包：
LFPAK56, Power-SO8
包装/箱：
SC-100, SOT-669
Power Dissipation (Max)：
52W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
57A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
894 pF @ 15 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
9.1mOhm @ 15A, 10V
