SUP60N06-12P-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
SUP60N06-12P-GE3 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包：
TO-220AB
包装/箱：
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
55 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
12mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1970 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
3.25W (Ta), 100W (Tc)
