SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
SIS434DN-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
40 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
供应商设备包：
PowerPAK® 1212-8
包装/箱：
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
40 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
35A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1530 pF @ 20 V
