SIR460DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIR460DP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
40A (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.4V @ 250µA
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
54 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.7mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2071 pF @ 15 V
