SI7738DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
SI7738DP-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
53 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
150 V
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
30A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2100 pF @ 75 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
38mOhm @ 7.7A, 10V
