SI7326DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
SI7326DN-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs（最大）：
±25V
供应商设备包：
PowerPAK® 1212-8
包装/箱：
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 5 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
19.5mOhm @ 10A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.5A (Ta)
