SI7322DN-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
SI7322DN-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包：
PowerPAK® 1212-8
包装/箱：
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
20 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.4V @ 250µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
58mOhm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
750 pF @ 50 V
