SI6443DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8TSSOP
SI6443DQ-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备包：
8-TSSOP
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7.3A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
12mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
60 nC @ 5 V
Power Dissipation (Max)：
1.05W (Ta)
