SI6413DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
SI6413DQ-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备包：
8-TSSOP
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7.2A (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)：
1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
800mV @ 400µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
10mOhm @ 8.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
105 nC @ 5 V
