SI4354DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
SI4354DY-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs（最大）：
±12V
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
9.5A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
10.5 nC @ 4.5 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
16.5mOhm @ 9.5A, 10V
