IRFBC20STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
IRFBC20STRLPBF 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
漏源电压 (Vdss)：
600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
350 pF @ 25 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.2A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
