IRFH5220TRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN
IRFH5220TRPBF 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
200 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1380 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)：
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
供应商设备包：
PQFN (5x6)
包装/箱：
8-VQFN Exposed Pad
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
99.9mOhm @ 5.8A, 10V
