FDP12N60NZ

MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

FDP12N60NZ
零件编号:
FDP12N60NZ
产品分类:
Sanyo Semiconductor/onsemi
制造商:
单 FET、MOSFET
描述:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
ROHS状态:
Yes

FDP12N60NZ 规格

安装类型:
Through Hole
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱:
TO-220-3
Vgs(最大):
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
34 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss):
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
供应商设备包:
TO-220-3
Power Dissipation (Max):
240W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
650mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1676 pF @ 25 V

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