SUM110N04-03-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
SUM110N04-03-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
40 V
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
250 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
110A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)：
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
8250 pF @ 25 V
