SUD50P08-26-E3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252
SUD50P08-26-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
供应商设备包：
TO-252AA
漏源电压 (Vdss)：
80 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
50A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
8.3W (Ta), 136W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5160 pF @ 40 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
26mOhm @ 12.9A, 10V
