STL8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
STL8N65M5 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
650 V
Vgs（最大）：
±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
600mOhm @ 3.5A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1.4A (Ta), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
690 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta), 70W (Tc)
供应商设备包：
PowerFLAT™ (5x5)
包装/箱：
14-PowerVQFN
