STB2N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263
STB2N62K3 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
Vgs（最大）：
±30V
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
45W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
620 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.2A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
340 pF @ 50 V
