SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
SQJ469EP-T1_GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
资质：
AEC-Q101
漏源电压 (Vdss)：
80 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
32A (Tc)
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max)：
100W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
155 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
25mOhm @ 10.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5100 pF @ 40 V
