SQ3419EEV-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
SQ3419EEV-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包：
6-TSOP
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
40 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
Vgs（最大）：
±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 4.5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7.4A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
5W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
50mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1065 pF @ 20 V
