SIHP8N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
SIHP8N50D-E3 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包：
TO-220AB
包装/箱：
TO-220-3
Vgs（最大）：
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
156W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
500 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
850mOhm @ 4A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
8.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
527 pF @ 100 V
