SI7862ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
SI7862ADP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
Vgs（最大）：
±8V
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
18A (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
80 nC @ 4.5 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3mOhm @ 29A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
7340 pF @ 8 V
