SI4836DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
SI4836DY-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
1.6W (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
12 V
Vgs（最大）：
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
17A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
75 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
400mV @ 250µA (Min)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3mOhm @ 25A, 4.5V
