SI4134DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
SI4134DY-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
23 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
14A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
846 pF @ 15 V
