SI3433BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP
SI3433BDV-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包：
6-TSOP
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
18 nC @ 4.5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.3A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
850mV @ 250µA
