SI2341DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
SI2341DS-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
包装/箱：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.5A (Ta)
供应商设备包：
SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
710mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
400 pF @ 15 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
72mOhm @ 2.8A, 10V
