SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SI2337DS-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
场效应管类型：
P-Channel
包装/箱：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
工作温度：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
80 V
供应商设备包：
SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
17 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.2A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
270mOhm @ 1.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
500 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
