NVD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
NVD6415ANLT4G 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
资质：
AEC-Q101
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包：
DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
23A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
83W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
52mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1024 pF @ 25 V
