NP36P04SDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
NP36P04SDG-E1-AY 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
40 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
场效应管类型：
P-Channel
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
工作温度：
175°C (TJ)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
36A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
55 nC @ 10 V
供应商设备包：
TO-252 (MP-3ZK)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2800 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta), 56W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
17mOhm @ 18A, 10V
