IXTY01N100
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
IXTY01N100 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
1000 V
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包：
TO-252AA
Power Dissipation (Max)：
25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6.9 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100mA (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
80Ohm @ 100mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
54 pF @ 25 V
