IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
IXFN82N60Q3 规格
安装类型：
Chassis Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs（最大）：
±30V
包装/箱：
SOT-227-4, miniBLOC
供应商设备包：
SOT-227B
漏源电压 (Vdss)：
600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
275 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
960W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
13500 pF @ 25 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
66A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
6.5V @ 8mA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
75mOhm @ 41A, 10V
