IRL640STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
IRL640STRLPBF 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
17A (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
200 V
Power Dissipation (Max)：
3.1W (Ta), 125W (Tc)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4V, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
66 nC @ 5 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
180mOhm @ 10A, 5V
