IPD068P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
IPD068P03L3GBTMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
30 V
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
91 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
100W (Tc)
供应商设备包：
PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 150µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
6.8mOhm @ 70A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
7720 pF @ 15 V
