IPB80N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S4L04ATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
40 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max)：
71W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
供应商设备包：
PG-TO263-3-2
Vgs（最大）：
+20V, -16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
60 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 35µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4690 pF @ 25 V
