BSZ018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
BSZ018NE2LSIATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)：
2.1W (Ta), 69W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
36 nC @ 10 V
供应商设备包：
PG-TSDSON-8-FL
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.8mOhm @ 20A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
22A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2500 pF @ 12 V
