AOI4S60
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
AOI4S60 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs（最大）：
±30V
漏源电压 (Vdss)：
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6 nC @ 10 V
供应商设备包：
TO-251A
包装/箱：
TO-251-3 Stub Leads, IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
56.8W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
900mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
263 pF @ 100 V
