AOI4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
AOI4N60 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
Vgs（最大）：
±30V
工作温度：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
600 V
Power Dissipation (Max)：
104W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A (Tc)
供应商设备包：
TO-251A
包装/箱：
TO-251-3 Stub Leads, IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
640 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.3Ohm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14.5 nC @ 10 V
