电子元件分销
SI2336DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
部件编号：
SI2336DS-T1-GE3
替代型号：
SI2336DS-T1-BE3 , MP-3014-1100-50-80 , PCF85263AT/AJ , NDC7002N , XLL526125.000000I , GRPB022VWQS-RC , BAT46ZFILM , 1877480000 , 5-1462039-6 , 95278-101-04LF , CDBM1100-G , SQ2351ES-T1_BE3 , DRV8428PWPR , BG300-06-A-L-A , NLSV4T244EDTR2G
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
RoHS：
YES
SI2336DS-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs（最大）：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
供应商设备包：
SOT-23-3 (TO-236)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5.2A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
560 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
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