FDMS86183
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
部件编号:
FDMS86183
替代型号:
FDMS86150  ,  STN3NF06L  ,  LTC6102HVIMS8#PBF  ,  LT8306RS6#WTRMPBF  ,  DMT12H007LPS-13  ,  BSC098N10NS5ATMA1  ,  CDBW46-G  ,  FDMS86182  ,  V-1100-SMD/B-L  ,  BSC146N10LS5ATMA1  ,  IAUZ40N10S5N130ATMA1  ,  MCU80P06Y-TP  ,  AOZ1282CI  ,  NTB004N10G  ,  FDMS86104
制造商:
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
RoHS:
YES
FDMS86183 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
6V, 10V
Vgs(最大):
±20V
漏源电压 (Vdss):
100 V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱:
8-PowerTDFN
供应商设备包:
8-PQFN (5x6)
Power Dissipation (Max):
63W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
51A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 90µA
Rds On(最大)@Id、Vgs:
12.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1515 pF @ 50 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:4622
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单价
国际价格
3000
0.72
2160
6000
0.68
4080
9000
0.65
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