FDMS1D5N03
MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
部件编号:
FDMS1D5N03
制造商:
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
RoHS:
YES
FDMS1D5N03 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
4.5V, 10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss):
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA
包装/箱:
8-PowerTDFN
Vgs(最大):
±16V
供应商设备包:
8-PQFN (5x6)
Power Dissipation (Max):
83W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
63 nC @ 4.5 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
1.15mOhm @ 40A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
218A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9690 pF @ 15 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码