电子元件分销
BSC014N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
部件编号：
BSC014N06NSATMA1
替代型号：
IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1 , BSC014N06NSSCATMA1 , BSC014N06NSTATMA1 , IAUCN04S7N004ATMA1 , SIR626ADP-T1-RE3 , FDMS86550ET60 , BSC026N08NS5ATMA1 , NTMFS4C302NT1G , BSC093N04LSGATMA1 , BSC012N06NSATMA1 , BSC016N06NSATMA1 , MAX31725MTA+ , IPB020N10N5LFATMA1 , IAUC100N10S5L040ATMA1 , IPZ40N04S5L2R8ATMA1 , LM5050Q1MK-1/NOPB
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
RoHS：
YES
BSC014N06NSATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
89 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
30A (Ta), 100A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta), 156W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.45mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6500 pF @ 30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 120µA
供应商设备包：
PG-TDSON-8-17
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