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产品详情
IPP029N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
部件编号:
IPP029N06NAKSA1
替代型号:
IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1 , STP100N6F7 , IPB042N10N3GATMA1 , DRV8300NRGER , IR2104STRPBF
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products
>
Transistors
>
FETs, MOSFETs
>
Single FETs, MOSFETs
>
描述:
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
RoHS:
YES
IPP029N06NAKSA1 规格
安装类型:
Through Hole
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
6V, 10V
漏源电压 (Vdss):
60 V
Vgs(最大):
±20V
包装/箱:
TO-220-3
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
56 nC @ 10 V
供应商设备包:
PG-TO220-3
Power Dissipation (Max):
3W (Ta), 136W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 75µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4100 pF @ 30 V
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